Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD436

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD436
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD436. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD438. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Tipo di transistor: PNP. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 00:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441
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BD438
Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126, 4A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -4A. Alloggiamento: TO-126. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD437
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Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126, 4A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -4A. Alloggiamento: TO-126. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD437
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