Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD436

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BD436. RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD438. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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BD438

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Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V...
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Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD437. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD437. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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