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2SB1560

2SB1560
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2SB1560. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Guadagno hFE massimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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Prodotti equivalenti :

Esaurito
MN2488-MP1620

MN2488-MP1620

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di tran...
MN2488-MP1620
Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: PNP & NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MN2488-MP1620
Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: PNP & NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. ...
2SB1560-SKN
Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB1560-SKN
Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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