Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560
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2 - 2 5.64€ 6.88€
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10 - 19 4.93€ 6.01€
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Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560. Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Guadagno hFE massimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 21:25.

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MN2488-MP1620

MN2488-MP1620

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiame...
MN2488-MP1620
Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP & NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MN2488-MP1620
Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP & NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Corrente del collettore: 10A. Allo...
2SB1560-SKN
Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN ( MT-100 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Ic(impulso): A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB1560-SKN
Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN ( MT-100 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Ic(impulso): A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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