Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD243C-CDIL

BD243C-CDIL
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BD243C-CDIL. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 10:25.

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Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. P...
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Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 65W. Frequenza massima: 3MHz. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V
BD243CG
Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 65W. Frequenza massima: 3MHz. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V
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TIP41C

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Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza compleme...
TIP41C
Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP42C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
TIP41C
Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP42C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SB647

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Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: ampl...
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2SD667

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di...
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