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BD680A. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 17:25.

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Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: NF-L. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681
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Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: NF-L. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681
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RoHS: sì. Resistenza B: sì. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Transistor Darlington?: sì. Quantità ...
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RoHS: sì. Resistenza B: sì. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: hFE 750. Corrente del collettore: 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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RoHS: sì. Resistenza B: sì. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: hFE 750. Corrente del collettore: 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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