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Semiconduttori Transistor

BD682

BD682

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Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	0.55€	0.67€
5 - 9	0.52€	0.63€
10 - 24	0.50€	0.61€
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250 - 1343	0.42€	0.51€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	0.55€	0.67€
5 - 9	0.52€	0.63€
10 - 24	0.50€	0.61€
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50 - 99	0.46€	0.56€
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Set da 1

BD682. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: NF-L. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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2N6027

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