Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD830

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10 - 24 0.52€ 0.63€
25 - 26 0.49€ 0.60€
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BD830. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 75 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Alloggiamento: TO-202. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-202; SOT128B. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD829. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 16:25.

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BD140

BD140

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
BD140
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
BD139
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BD135

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente de...
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2N6488

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Funzione: Amplificatori e ap...
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2N6491-PMC

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Corrente del collettore: 15A...
2N6491-PMC
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CD4011BE

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Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di circuiti: 4. Famiglia di cir...
CD4011BE
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BC327-25

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Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hF...
BC327-25
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BC327-16

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Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE...
BC327-16
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MJL4281A

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Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. ...
MJL4281A
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TIP3055

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Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Condizionamento: tubo di plastica. Materiale se...
TIP3055
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TIP2955

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Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP2955. Tensione collettor...
TIP2955
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