Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD912-ST

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BD912-ST. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 16:25.

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Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Materiale semico...
BD912
Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE...
BD911
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Cost...
2N5551
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PC16SH-10IP06-254A2020

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Resistenza: 250k Ohms. Numero di canali: 1. Tipo di resistore: strato di carbonio. Numero di giri: 1...
PC16SH-10IP06-254A2020
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PC16SH-10IP06-254A2020
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2N2222AG

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Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30...
2N2222AG
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FUSE-0-500A20T

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Corrente continua massima: 500mA. Voltaggio: 250V. Dimensioni: 5x20mm. RoHS: sì...
FUSE-0-500A20T
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2SC1815

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Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Gu...
2SC1815
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FJP13009H2

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Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta t...
FJP13009H2
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SW2001-2S

SW2001-2S

Ritaglio/foratura del pannello: 6.3mm + 2.5mm. Modalità di commutazione: 1SPDT (ON-ON). Configurazi...
SW2001-2S
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STPS20H100CT

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Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. M...
STPS20H100CT
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