Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD912

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50 - 99 0.79€ 0.96€
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BD912. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.

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BD912-ST

BD912-ST

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (diss...
BD912-ST
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD912-ST
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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