BDT64C

BDT64C. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(massimo): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDT65C. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 16:25.