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BDT65C

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Set da 1

BDT65C. Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: hFE 1000. Spec info: transistor complementare (coppia) BDT64C. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 17:25.

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