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BD902. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Nota: >750. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD901. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagn...
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Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funzione: commutazione, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP102. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
TIP107
Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funzione: commutazione, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP102. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. C(in): sì. Costo): -100V. Numero di terminali: 3. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDX33C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
BDX34C
Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. C(in): sì. Costo): -100V. Numero di terminali: 3. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDX33C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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