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BDY83B

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BDY83B. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 19:25.

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