BF245B
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.41€ | 1.72€ |
| 5 - 9 | 1.34€ | 1.63€ |
| 10 - 24 | 1.27€ | 1.55€ |
| 25 - 37 | 1.20€ | 1.46€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.41€ | 1.72€ |
| 5 - 9 | 1.34€ | 1.63€ |
| 10 - 24 | 1.27€ | 1.55€ |
| 25 - 37 | 1.20€ | 1.46€ |
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BF245B. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.
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C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Idss (massimo): 9mA. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Idss (massimo): 9mA. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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