Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.41€ 1.72€
5 - 9 1.34€ 1.63€
10 - 24 1.30€ 1.59€
25 - 38 1.27€ 1.55€
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Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B. Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 19:25.

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BF545B

BF545B

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Id...
BF545B
Transistor a canale N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V
BF545B
Transistor a canale N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V
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2N5458

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Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
2N5458
Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V
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Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V
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