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AF239S

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. FT: 1250 MHz. Corrente del collettore: 20mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 13V. Vebo: 0.3V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. FT: 1250 MHz. Corrente del collettore: 20mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 13V. Vebo: 0.3V
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