Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.26€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 91 | 0.22€ | 0.27€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 9 | 0.26€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 91 | 0.22€ | 0.27€ |
DB106. Do: 25pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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