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S1WBS60

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S1WBS60. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Passo: 7.62mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap
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Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap
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Do: 25pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta...
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Do: 25pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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Do: 25pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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