Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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DB102G. VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 1A. Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Trifase: 0. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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B1000D

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B1000D
VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap
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DB104G
VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 1.5A. Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 1A. Do: 25pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 1A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Passo: 7.62mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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