Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859B

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859B. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 475. Guadagno hFE minimo: 220. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: SMD 3F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.