Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1049€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0997€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0944€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0892€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0839€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0787€ |
500 - 4023 | 0.0602€ | 0.0734€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1049€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0997€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0944€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0892€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0839€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0787€ |
500 - 4023 | 0.0602€ | 0.0734€ |
BF199. Costo): 3.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1100 MHz. Funzione: TV-IF. Corrente del collettore: 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Resistenza B: transistor NPN. Resistenza BE: RF-POWER. C(in): 25V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.
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