Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.05A, 400V - BF487

Transistor NPN, 0.05A, 400V - BF487
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25 - 49 0.33€ 0.40€
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Transistor NPN, 0.05A, 400V - BF487. Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Spec info: TO-93. Tipo di transistor: NPN. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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MPSA44

MPSA44

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corrente del collettore: 0.3A. Alloggiamento: T...
MPSA44
Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corrente del collettore: 0.3A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 40. Equivalenti: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corrente del collettore: 0.3A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 40. Equivalenti: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V
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4N35
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BAS21

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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo sched...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
TOP243YN
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TOP243YN
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1N4007

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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Tensione di uscita: 18V. Corrente di uscita: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda t...
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo sched...
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo sched...
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IRF3710S

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Transistor a canale N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=...
IRF3710S
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