4N35

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 9	0.49€	0.60€
10 - 24	0.46€	0.56€
25 - 49	0.44€	0.54€
50 - 99	0.42€	0.51€
100 - 249	0.38€	0.46€
250 - 499	0.37€	0.45€
500 - 2394	0.36€	0.44€

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4N35. CTR: 100 %. Diodo IF: 60mA. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 100mA. Uscita: uscita a transistor con base. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 10us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 10us. Numero di terminali: 6. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 13:25.

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