Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.37€ | 0.45€ |
5 - 9 | 0.36€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.34€ | 0.41€ |
25 - 49 | 0.32€ | 0.39€ |
50 - 99 | 0.30€ | 0.37€ |
100 - 149 | 0.28€ | 0.34€ |
150 - 1797 | 0.26€ | 0.32€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.37€ | 0.45€ |
5 - 9 | 0.36€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.34€ | 0.41€ |
25 - 49 | 0.32€ | 0.39€ |
50 - 99 | 0.30€ | 0.37€ |
100 - 149 | 0.28€ | 0.34€ |
150 - 1797 | 0.26€ | 0.32€ |
BAS21. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Nota: serigrafia/codice SMD JS. RM (max): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: JS. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 250V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 16:25.
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