Transistor

Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6GHz. Funzione: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 35mA. Marcatura sulla cassa: R2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 3000. Spec info: SMD R2. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Amplificatore RF fino alla gamma GHz per amplificatore d antenna.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor RF planare . Alloggiamento: SOT-37 ( TO-50 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-37 ( TO-50 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.8GHz. Funzione: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 25mA. Ic(impulso): 50mA. Marcatura sulla cassa: E2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Funzione: Circuito IF e VHF a film spesso e sottile . Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 25mA. Ic(impulso): 25mA. Marcatura sulla cassa: G1*. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD G1p, G1t, G1W

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: X1p. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 12V. Corrente collettore Ic [A], max.: 35mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-A. Corrente del collettore: 0.2A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BFU590G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 24V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Spec info: transistor complementare (coppia) BFV421

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.6GHz. Funzione: VHF-UHF-A. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-72. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-72. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Vebo: 2.5V

Alloggiamento: TO-50. Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB (SMD). C(in): TO-50. Diodo CE: componente a montaggio superficiale (SMD). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3.2GHz. Funzione: Amplificatore RF a banda larga fino alla gamma GHz.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.025A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-50-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Spec info: Transistor RF planare

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF/S. Corrente del collettore: 1A. Nota: b>70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/HF/S. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/HF/S. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 860 MHz. Funzione: UHF-L. Corrente del collettore: 1.25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.07W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 470 MHz. Funzione: UHF-L. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.8W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 860 MHz. Funzione: UHF-L. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 2A. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Marcatura sulla cassa: BS107. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS107A. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1

C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS170G. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS170_D27Z. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 24pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.83W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MX. Tensione drain-source Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 25pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 60pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500nA. ID (min): -0.23A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 45V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 30A. Dimensioni: 107.5x45x17mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 250 ns. Td(acceso): 50 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 24. Spec info: 7x IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Nota: 5ns...20ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Tecnologia: D-MOS Log.L. Voltaggio Vds(max): 50V