BS170

BS170. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.