Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.53€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.45€ |
10 - 24 | 1.15€ | 1.40€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.38€ |
50 - 99 | 1.10€ | 1.34€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.28€ |
250 - 2926 | 0.97€ | 1.18€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.53€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.45€ |
10 - 24 | 1.15€ | 1.40€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.38€ |
50 - 99 | 1.10€ | 1.34€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.28€ |
250 - 2926 | 0.97€ | 1.18€ |
Transistor a canale P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V - BS250P. Transistor a canale P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500nA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 45V. C(in): 60pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 3A. ID (min): -0.23A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Diodes Incorporated. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.
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