BS250P

BS250P. C(in): 60pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500nA. ID (min): -0.23A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 45V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.