BFW92A

BFW92A. Alloggiamento: TO-50. Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB (SMD). C(in): TO-50. Diodo CE: componente a montaggio superficiale (SMD). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3.2GHz. Funzione: Amplificatore RF a banda larga fino alla gamma GHz.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.025A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-50-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Spec info: Transistor RF planare . Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.