BSP100

BSP100. C(in): 250pF. Costo): 88pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 6 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 12:25.