Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BSR16

BSR16
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2 - 2 0.85€ 1.04€
3 - 4 0.80€ 0.98€
5 - 9 0.76€ 0.93€
10 - 24 0.71€ 0.87€
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Set da 10

BSR16. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: hFE 50...300. Corrente del collettore: 0.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: serigrafia/codice CMS T8. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 06:25.

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MMBT2907ALT1G
Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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