BSR51

BSR51. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 06:25.