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BU2527DX

BU2527DX
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BU2527DX. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì
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Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì
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