Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 12A, 800V - BU2527AX

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Transistor NPN, 12A, 800V - BU2527AX. Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Spec info: SOT399 (F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Prodotto originale del produttore Inchange Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.

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MD2310FX

MD2310FX

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Al...
MD2310FX
Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
MD2310FX
Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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