Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUX48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Dissipazione massima Ptot [W]: 175W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: S. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUX85G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Resistenza B: transistor di potenza. Diodo BE: NPN. C(in): 1000V. Costo): 0.5A. Diodo CE: 40W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-82. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUX87P. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 280V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1

C(in): 1220pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO263-3-2. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Quantità per scatola: 1

C(in): 1500pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 42A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 50V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (massimo): 39A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. Tecnologia: V-MOS S/L. Voltaggio Vds(max): 50V. Nota: 250/500ns. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUZ22. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 300 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1850pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 2.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. Tecnologia: V-MOS L. Voltaggio Vds(max): 1000V. Quantità per scatola: 1

C(in): 330pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUZ73LH. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 500V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 400V. Nota: <57/115ns. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUZ76A. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: <50/105ns. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 2.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1

C(in): 460pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 350 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (massimo): 2.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio Vds(max): 800V. Nota: <100/220ns. Quantità per scatola: 1