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BUZ102S

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BUZ102S. C(in): 1220pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO263-3-2. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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