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BUZ80AF

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BUZ80AF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (massimo): 2.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio Vds(max): 800V. Nota: <100/220ns. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.

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C(in): 700pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS
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C(in): 700pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS
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