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BUW12F

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BUW12F. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.

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