Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BUW12A

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5 - 9 4.40€ 5.37€
10 - 24 4.16€ 5.08€
25 - 49 3.93€ 4.79€
50 - 58 3.84€ 4.68€
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BUW12A. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.

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BUV48A

BUV48A

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione...
BUV48A
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 15A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
BUV48A
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 15A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Triac standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-2...
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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del c...
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