BUZ12
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.30€ | 4.03€ |
| 5 - 9 | 3.14€ | 3.83€ |
| 10 - 24 | 2.97€ | 3.62€ |
| 25 - 49 | 2.81€ | 3.43€ |
| 50 - 99 | 2.74€ | 3.34€ |
| 100 - 249 | 2.67€ | 3.26€ |
| 250+ | 2.58€ | 3.15€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.30€ | 4.03€ |
| 5 - 9 | 3.14€ | 3.83€ |
| 10 - 24 | 2.97€ | 3.62€ |
| 25 - 49 | 2.81€ | 3.43€ |
| 50 - 99 | 2.74€ | 3.34€ |
| 100 - 249 | 2.67€ | 3.26€ |
| 250+ | 2.58€ | 3.15€ |
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BUZ12. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 42A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 50V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.
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C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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