Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BUW13A

BUW13A
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1 - 1 10.65€ 12.99€
2 - 2 10.12€ 12.35€
3 - 4 9.59€ 11.70€
5 - 9 9.05€ 11.04€
10 - 14 8.84€ 10.78€
15 - 19 8.63€ 10.53€
20+ 8.31€ 10.14€
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BUW13A. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.

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BUV48A

BUV48A

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione...
BUV48A
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 15A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
BUV48A
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 15A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
Set da 1
6.86€ IVA incl.
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2SC1756
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1.09€ IVA incl.
(0.89€ Iva esclusa)
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BT139-600

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Triac standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-2...
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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del c...
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C(in): 1500pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
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Quantità in magazzino : 96
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Resistenza: 150 Ohms. Potenza: 5W. Tipo di resistore: avvolgimento del filo elettrico. Nota: PRW5W. ...
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Quantità in magazzino : 361
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
KBL08
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