BUZ77B

BUZ77B. C(in): 460pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 350 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.