BUW11A

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Set da 1

BUW11A. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.

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