BUT18AF

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BUT18AF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, alta velocità. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.

Prodotti equivalenti :

Esaurito

BUT18AF-PHI

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissi...

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