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Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT18AF-PHI

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT18AF-PHI
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 3.70€ 4.51€
5 - 9 3.51€ 4.28€
10 - 24 3.40€ 4.15€
25 - 49 3.33€ 4.06€
50 - 99 3.25€ 3.97€
100 - 249 3.14€ 3.83€
250+ 3.03€ 3.70€
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Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT18AF-PHI. Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. C...
BUT18AF
Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: alta tensione, alta velocità. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: alta tensione, alta velocità. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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4.44€ IVA incl.
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Nota: Vin 30V. Nota: Rb 10.5k Ohms. Equivalenti: ULN2004ANE4, ULN2004APG. Numero di terminali: 16. R...
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0.71€ IVA incl.
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051-0907-02

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Nota: 28p...
051-0907-02
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29.52€ IVA incl.
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali. Alloggiamento: saldatura PCB ...
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1-5KE10A

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RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore...
1-5KE10A
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0.59€ IVA incl.
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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
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