Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BUT11A

BUT11A
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1 - 4 1.58€ 1.93€
5 - 9 1.50€ 1.83€
10 - 24 1.42€ 1.73€
25 - 49 1.34€ 1.63€
50 - 99 2.24€ 2.73€
100 - 226 2.80€ 3.42€
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BUT11A. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 4us. Tf(min): 0.8us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 17:25.

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MJF18204

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Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1...
MJF18204
Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
MJF18204
Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Quantità in magazzino : 3661
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PC...
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Ingresso: min 7.5V, max 35V. Tensione di caduta: 2V. Funzione: Z-IC. Tensione di uscita: 5V. Polarit...
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Diodo IF: 60mA. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Tensione di soglia del dio...
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UC3844N

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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