BUL45GD2G

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	2.18€	2.66€
5 - 9	2.07€	2.53€
10 - 24	1.96€	2.39€
25 - 49	1.86€	2.27€
50 - 51	1.70€	2.07€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	2.18€	2.66€
5 - 9	2.07€	2.53€
10 - 24	1.96€	2.39€
25 - 49	1.86€	2.27€
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Set da 1

BUL45GD2G. Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN bipolare ad alta velocità e alto guadagno. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 22. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.

Documentazione tecnica