BUT12AF
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.51€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.28€ |
| 10 - 18 | 3.33€ | 4.06€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.51€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.28€ |
| 10 - 18 | 3.33€ | 4.06€ |
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BUT12AF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.
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Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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