BUW11
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.25€ | 2.75€ |
| 5 - 9 | 2.14€ | 2.61€ |
| 10 - 24 | 2.03€ | 2.48€ |
| 25 - 49 | 1.92€ | 2.34€ |
| 50 - 99 | 1.87€ | 2.28€ |
| 100 - 249 | 1.83€ | 2.23€ |
| 250+ | 1.74€ | 2.12€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.25€ | 2.75€ |
| 5 - 9 | 2.14€ | 2.61€ |
| 10 - 24 | 2.03€ | 2.48€ |
| 25 - 49 | 1.92€ | 2.34€ |
| 50 - 99 | 1.87€ | 2.28€ |
| 100 - 249 | 1.83€ | 2.23€ |
| 250+ | 1.74€ | 2.12€ |
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BUW11. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.
Prodotti equivalenti :
BUW11A
Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del c...
Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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