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BUT11APX

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25 - 45 1.72€ 2.10€
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BUT11APX. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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BUT11AX-PHI

BUT11AX-PHI

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di p...
BUT11AX-PHI
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns
BUT11AX-PHI
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns
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Esaurito
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3296W-1-503
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Materiale dielettrico: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza,...
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1-5KE120A

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