Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.93€ | 2.35€ |
10 - 24 | 1.83€ | 2.23€ |
25 - 45 | 1.72€ | 2.10€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.93€ | 2.35€ |
10 - 24 | 1.83€ | 2.23€ |
25 - 45 | 1.72€ | 2.10€ |
BUT11APX. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.
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