Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

1N5383B

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1N5383B. Materiale dielettrico: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201. Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 150V. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Numero di terminali: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 20:25.

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Materiale dielettrico: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201. Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 150V. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Numero di terminali: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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