Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT11AF-F

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT11AF-F
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT11AF-F. Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 11:25.

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MJE18008

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE18008
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BUT11AX-PHI

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BUT11AX-PHI
Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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