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BUT11AF-F

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BUT11AF-F. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 10:25.

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C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns
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Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns
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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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