Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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D44H8

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5 - 9 0.85€ 1.04€
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25 - 49 1.25€ 1.53€
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D44H8. RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 01:25.

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Costo): 130pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: D44H11. Equivalenti: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf(massimo): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) D45H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Costo): 130pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: D44H11. Equivalenti: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf(massimo): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) D45H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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